| 发明名称 |
MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS |
| 摘要 |
L'INVENTION CONCERNE UNE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS.CETTE MEMOIRE A CIRCUITS INTEGRES COMPORTE, SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, UN RESEAU M-ARY DE CELLULES DE MEMOIRE M-CEL COMPORTANT CHACUNE UN TRANSISTOR MOS Q ET UN |
| 申请公布号 |
FR2506057(A1) |
申请公布日期 |
1982.11.19 |
| 申请号 |
FR19820002186 |
申请日期 |
1982.02.10 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KATSUHIRO SHIMOHIGASHI, HIROO MASUDA, KUNIHIKO IKUZAKI ET HIROSHI KAWAMOTO |
| 分类号 |
G11C11/419;G11C11/409;G11C11/4091;G11C11/4096;G11C11/4097;H01L21/822;H01L21/8238;H01L21/8242;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):11C11/40 |
主分类号 |
G11C11/419 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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