| 摘要 |
<P>SELON LA PRESENTE INVENTION, POUR FORMER DES ZONES D'OXYDE DE CHAMP SEPARANT DES COMPOSANTS INDIVIDUELS D'UN CIRCUIT INTEGRE DE TYPE MOS, ON PROCEDE D'ABORD SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 A LA CROISSANCE D'UNE COUCHE D'OXYDE THERMIQUE 101. UN MASQUE 102 DELIMITE LES ZONES OU L'ON SOUHAITE MAINTENIR LA COUCHE D'OXYDE DE CHAMP. UNE IMPLANTATION IONIQUE EST REALISEE DANS LES OUVERTURES DE CETTE COUCHE PHOTOSENSIBLE 102 POUR FORMER DES ZONES IMPLANTEES DE TYPE P 103, 104, 105, 106. ENSUITE, PAR UN PROCEDE DE LIFT-OFF, LES PARTIES DE LA COUCHE DE SILICE 101 SE TROUVANT EN-DESSOUS DU MASQUE 102 SONT ELIMINEES PAR UN PROCEDE DE LIFT-OFF. ON PEUT AINSI OBTENIR DES ZONES D'OXYDE DE CHAMP SOUS LESQUELLES SE TROUVENT DES ZONES IMPLANTEES DONT LA PROFONDEUR DE DIFFUSION RESTE FAIBLE EN FIN DE PROCESSUS, DU FAIT QU'ELLES SONT REALISEES APRES CROISSANCE DE LA COUCHE D'OXYDE DE CHAMP.</P>
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