| 主权项 |
1.一种密封材,系使用于画像显示装置之真空密封 部,其特征为: 于Sn、或含有Pb、In、Bi、Zn、Ag、Au、Cu之熔点降低 元素中至少1种之Sn的基底金属中,至少含有1种活 性金属。 2.如申请专利范围第1项之密封材,其中 前述基底金属中之前述活性金属之量T之总量为0. 001重量%<T。 3.如申请专利范围第2项之密封材,其中 前述基底金属中之前述活性金属之量T之总量为0. 01重量%<T。 4.如申请专利范围第1或2项之密封材,其中 前述活性金属系含有Ti、Zr、Hf、V、Ta、Y、Ce、Mn 之至少1种。 5.一种密封材,系使用于于画像显示装置之真空密 封部,其特征为: 于Sn或Sn中至少含有1种熔点降低元素的合金中,含 有从持有低于Sn之氧化物标准生成自由能之氧化 物标准生成自由能之金属中所选择出之至少1种。 6.如申请专利范围第5项之密封材,其中 具有低于前述Sn之氧化物标准生成自由能之氧化 物标准生成自由能之金属系Cr、Al、Si之至少1种, 前述金属之添加量位于0.001~2Wt%之范围。 7.如申请专利范围第5或6项之密封材,其中 前述熔点降低元素系含有Ag、Au、Cu之至少1种。 8.一种画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以密封 黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板间之 密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部具有沿着前述特定位置充填之如 申请专利范围第1至3项之其中任一项之密封材,在 前述密封材及前述基板之界面形成着活性金属之 氧化物。 9.如申请专利范围第8项之画像显示装置,其中 前述真空密封部具有以施加超音波来进行充填之 前述密封材。 10.如申请专利范围第8项之画像显示装置,其中 具有配设于一方之前述基板之内面之萤光体层、 及配设于另一方之前述基板之内面上用以激发前 述萤光体层之复数电子源。 11.如申请专利范围第8项之画像显示装置,其中 充填着前述密封材之基板之表面之至少一方之表 面形成含有无机化合物之层、或表面被氧化之金 属层。 12.一种画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片玻璃基板、及用以 密封黏着前述玻璃基板之特定位置且用以规定2片 玻璃基板间之密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部具有Sn含有活性金属且沿着前述 特定位置而被充填之密封黏着层、于前述密封黏 着层及前述玻璃基板之界面之前述玻璃基板侧扩 散前述密封黏着层之成份所构成之扩散层。 13.如申请专利范围第12项之画像显示装置,其中 扩散至前述玻璃基板侧之前述密封黏着层之成分 至少包含Sn、及Ti、Zr、Hf、V、Ta、Y、Ce之至少1种 活性金属。 14.如申请专利范围第12项之画像显示装置,其中 前述扩散层之厚度为1nm~500nm。 15.如申请专利范围第12项之画像显示装置,其中 上述密封黏着层之活性金属含有量未满3wt%。 16.一种画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片玻璃基板、及用以 密封黏着前述玻璃基板之特定位置且用以规定2片 玻璃基板间之密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部具有Sn含有活性金属且沿着前述 特定位置而被充填之密封黏着层,在前述密封黏着 层及前述玻璃基板之界面,前述密封黏着层之成分 产生偏析。 17.如申请专利范围第16项之画像显示装置,其中 偏析于前述界面之偏析物系活性金属。 18.如申请专利范围第17项之画像显示装置,其中 前述密封黏着层成分所偏析之部份之厚度为1nm~500 nm。 19.如申请专利范围第16项之画像显示装置,其中 偏析于前述界面之偏析物系活性金属,其含有量为 2~30wt%。 20.一种平面型画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以密封 黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板间之 密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部系含有于Sn或Sn中至少含有1种熔 点降低元素的合金中,含有从持有低于Sn之氧化物 标准生成自由能之氧化物标准生成自由能之金属 中所选择出之至少1种。 21.如申请专利范围第20项之平面型画像显示装置, 其中 具有低于前述Sn之氧化物标准生成自由能之氧化 物标准生成自由能之金属系Cr、Al、Si之至少1种, 前述金属之含有量在于0.001~2Wt%之范围。 22.如申请专利范围第20或21项之平面型之画像显示 装置,其中 前述熔点降低元素系含有Ag、Au、Cu之至少1种。 23.一种平面型画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以密封 黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板间之 密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部具有沿着前述特定位置而充填之 如申请专利范围第20项之密封材。 24.一种平面型画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以密封 黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板间之 密闭空间之真空密封部, 前述真空密封部具有沿着前述特定位置形成于密 封黏着面之基底,该基底含有由持有低于Sn之氧化 物标准生成自由能之氧化物标准生成自由能之金 属之中所选择之至少一种。 25.如申请专利范围第24项之平面型画像显示装置, 其中 形成于前述密封黏着面之基底系金属或无机物之 粒子及低熔点玻璃之混合体之烧成物、或利用蒸 镀、溅镀等所形成之金属膜。 26.如申请专利范围第20至25项之其中任一项之平面 型画像显示装置,其中 具有配设于一方之前述基板之内面之萤光体层、 及配设于另一方之基板之内面上,而用以激发前述 萤光体层之复数电子源。 27.一种画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片玻璃基板、及用以 密封黏着前述玻璃基板之特定位置且用以规定2片 玻璃基板间之密闭空间之密封黏着部, 前述密封黏着部含有由含有Ag、Au、Cu之至少1种金 属之Sn所构成之密封黏着层。 28.如申请专利范围第27项之画像显示装置,其中 前述密封黏着层系由含有Ag、Au、Cu之至少1种金属 之Sn之密封材所形成。 29.如申请专利范围第27项之画像显示装置,其中 前述密封黏着层系沿着前述玻璃基板之前述特定 位置充填。 30.如申请专利范围第29项之画像显示装置,其中 前述密封黏着层具有含有Ag、Au、Cu之至少1种金属 且形成于前述特定位置之基底层、及Sn之重叠充 填至前述基底层之密封材。 31.如申请专利范围第27项之画像显示装置,其中 前述基底层系含有Ag、Au、Cu之至少1种金属之金属 玻璃膏。 32.如申请专利范围第27至31项之其中任一项之画像 显示装置,其中 前述Ag、Au、Cu之至少1种金属之含有量为0.1至10%。 33.如申请专利范围第27至31项之其中任一项之画像 显示装置,其中 前述Ag、Au、Cu之至少1种金属之含有量为0.5至4%。 34.如申请专利范围第27至31项之其中任一项之画像 显示装置,其中 具有配设于一方之前述基板之内面之萤光体层、 及配设于另一方之基板之内面上用以激发前述萤 光体层之复数电子波。 35.一种画像显示装置之制造方法,前述画像显示装 置系具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以 密封黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板 间之密闭空间之真空密封部,其特征为: 在施加超音波之情形下,沿着前述基板之特定位置 充填如申请专利范围第1至3项之其中任一项之密 封材,用以形成前述密封部。 36.一种画像显示装置之制造方法,前述画像显示装 置系具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以 密封黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板 间之密闭空间之真空密封部,其特征为: 沿着至少一方之基板之特定位置充填密封材, 使充填着前述密封材之表面曝露于高能量之光束 或环境来除去密封材表面之氧化物, 利用除去前述氧化物之密封材贴合前述2片基板, 形成前述真空密封部。 37.如申请专利范围第36项之画像显示装置之制造 方法,其中 在真空环境中,除去前述密封材表面之氧化物后, 贴合前述2片基板。 38.如申请专利范围第36项之画像显示装置之制造 方法,其中 在真空环境中,对前述密封材照射雷射光来除去密 封材表面之氧化物。 39.如申请专利范围第36项之画像显示装置之制造 方法,其中 在真空环境中,对前述密封材照射电浆来除去密封 材表面之氧化物。 40.如申请专利范围第36项之画像显示装置之制造 方法,其中 在真空环境中,对前述密封材、及与该密封材为相 对配置之电极之间施加电压使其产生放电,来除去 前述密封材表面之氧化物。 41.如申请专利范围第36至39项之其中任一项之画像 显示装置之制造方法,其中 在使虚拟基板隔着间隙与前述密封材相对之状态 下,使前述密封材表面之氧化物四散并除去,同时 使四散之氧化物附着于前述虚拟基板而获得。 42.如申请专利范围第36至39项之其中任一项之画像 显示装置之制造方法,其中 对前述密封材施加超音波,并沿着前述至少一方之 基板之特定位置充填密封材来形成密封部。 43.如申请专利范围第36至39项之其中任一项之画像 显示装置之制造方法,其中 前述密封材系以Sn为主要成分,添加着含Ag、Cu、Bi 、Au等熔点降低元素之至少1种。 44.如申请专利范围第36至39项之其中任一项之画像 显示装置之制造方法,其中 前述密封材系以Sn为主要成分,添加着含Ti、Cr、Zr 、Hf、Al、Ta等活性金属之至少1种。 45.如申请专利范围第36至39项之其中任一项之画像 显示装置之制造方法,其中 前述密封材系以Sn为主要成分,添加着含Ag、Cu、Bi 、Au等熔点降低元素之至少1种、及含Ti、Cr、Zr、 Hf、Al、Ta等活性金属之至少1种。 46.一种画像显示装置,其特征为: 具有隔着间隙呈相对配置之2片基板、及用以密封 黏着前述基板之特定位置且用以规定2片基板间之 密闭空间之真空密封部,系利用如申请专利范围第 36至40项之其中任一项之画像显示装置之制造方法 所制造者。 图式简单说明: 第1图系本发明之第1实施形态之SED之斜视图。 第2图系沿着第1图之线II-II之前述SED之剖面图。 第3图系密封黏着层及玻璃基板之界面部份之剖面 图。 第4图系上述界面部份之含有活性金属之状态图。 第5图系本发明之第3实施形态之FED之斜视图。 第6图系沿着第5图之线VI-VI之前述FED之剖面图。 第7图系制造步骤之FED之基板之剖面图。 第8图系本发明之第4实施形态之画像显示装置之 制造方法之用以除去密封材之氧化物之步骤之剖 面图。 第9图系本发明之第4实施形态之变形例之用以除 去密封材之氧化物之步骤之剖面图。 第10图系本发明之第4实施形态之其他实施例之用 以除去密封材之氧化物之步骤之剖面图。 |
