电晶体及其制造方法

摘要

本发明之电晶体之制造方法包含：顺序地形成闸极氧化层和复晶闸极于半导体基板的主动区域上方；形成漂移区域于复晶闸极之邻接主动区域中；以及以低于此漂移区域的剖面深度同时植入各种类型的杂质离子至漂移区域内，从而形成源极／汲极。