发明名称 MANUFACTURING METHOD OF SOI SUBSTRATE
摘要 단결정 실리콘 기판보다도 대면적인 기판에, 균일한 질을 가지는 복수의 단결정 반도체층을 접착한 SOI 기판의 제작 방법을 제공하는 것을 과제로 한다. 열처리에 있어서, 베이스 기판 지지 및 단결정 반도체 기판 보유의 트레이로서, 오목부의 바닥이 깊고, 베이스 기판에 접착된 단결정 반도체 기판과 접촉하지 않는 트레이를 사용하여, 단결정 반도체 기판의 열 분포의 균일화를 도모한다. 또한, 상기 트레이 각각의 오목부 사이에 베이스 기판 지지부를 형성함으로써, 상기 트레이와 베이스 기판의 접촉 면적을 저감한다. 이상으로부터, 단결정 반도체 기판으로부터 단결정 반도체층을 분리하는 열처리 시에, 단결정 반도체 기판 및 베이스 기판의 열 분포가 균일하게 되도록 한다.
申请公布号 KR101651206(B1) 申请公布日期 2016.08.25
申请号 KR20100048393 申请日期 2010.05.25
申请人 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 发明人 모리와카 토모아키
分类号 H01L21/762;H01L27/12 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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