金属酸化物半導体層の電気伝導性を改善する方法

摘要

本開示は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層の電気伝導性を改善するための方法を提供する。方法は、基板上に金属酸化物半導体層を設けることと、原子層堆積法を用いて、金属酸化物半導体層の上に金属酸化物層を設けることとを含み、金属酸化物層は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層と物理的接触している。驚くことに、この方法は、予め定めた場所において金属酸化物半導体層の増加した電気伝導性をもたらすことが判明した。本開示の方法は、自己整合上部ゲート金属酸化物半導体薄膜トランジスタの製造プロセスに好都合に使用でき、ソース領域およびドレイン領域における電気伝導性を改善する。