发明名称 電子デバイス及びガスバリアー性フィルムの製造方法
摘要 本発明の課題は、ガスバリアー性及び耐久性(平面性及びダークスポット耐性)に優れた電子デバイスと、ガスバリアー性フィルムの製造方法を提供することである。本発明の電子デバイスは、樹脂基材上、炭素原子、ケイ素原子及び酸素原子を有し、層厚方向に組成が連続的に変化し、炭素分布曲線が極値を有し、炭素原子比率の極大値と極小値の差が5at%以上で、全層厚の90%以上の領域での平均原子比率が、(炭素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(酸素原子比率)、又は(酸素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(炭素原子比率)であり、かつガスバリアー層上に、ポリシラザン含有液を塗布、乾燥した後、形成した塗膜に収縮処理を施して形成され、収縮処理前後における層厚方向の膜収縮率が10〜30%である無機ポリマー層を有するガスバリアー性フィルムを具備することを特徴とする。
申请公布号 JPWO2014073438(A1) 申请公布日期 2016.09.08
申请号 JP20140545663 申请日期 2013.10.31
申请人 コニカミノルタ株式会社 发明人 鈴木 一生
分类号 H05B33/02;B05D7/24;H01L31/049;H01L51/50;H05B33/04 主分类号 H05B33/02
代理机构 代理人
主权项
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