发明名称 Integrated semiconductor detector of particles and/or X-rays.
摘要 Röntgen- und/oder Korpuskularstrahlung (3) in der Form eines monolithischen Körpers aus III-V-Halbleitermaterial und mit Sperrschicht-Übergang zwischen zwei Anteilen (2 und 5 bzw. 6) dieses Körpers, wobei der eine Anteil ein Szintillationskörper (2) ist, der vergleichsweise zu dem eine Fotodiode (5) bildenden anderen Anteil weit geringere Absorption für die durch Strahlungsabsorption erzeugten Photonen (4) hat.
申请公布号 EP0058230(A1) 申请公布日期 1982.08.25
申请号 EP19810108436 申请日期 1981.10.16
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 GLASOW, PETER;RUHLE, WOLFGANG, DR. PHYS.;WEYRICH, CLAUS, DR. PHYS.
分类号 G01T1/24;G01T1/00;G01T1/20;H01L31/09;(IPC1-7):G01T1/20 主分类号 G01T1/24
代理机构 代理人
主权项
地址