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Verfahren zur Herstellung einer Lumineszenz- oder Laserdiode mit einem die Leuchtfläche umgebenden, den Stromfluß in der Diode eingrenzendnen PN-Übergang (14, 16), wobei die epitaktische Abscheidung der einzelnen Schichten (14, 16, 17, 18) ohne Unterbrechung durch einen chemischen Ätzprozeß erfolgt, der erfindungsgemäß zur Herstellung eines Mesa (12, 13) vor den epitaktischen Abscheidungen durchgeführt wird.
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