发明名称 |
STRUKTURIERUNG VON METALLOXIDMASKEN, INSBESONDERE DURCH REAKTIVES IONENSTRAHLAETZEN |
摘要 |
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申请公布号 |
DE3102647(A1) |
申请公布日期 |
1982.08.19 |
申请号 |
DE19813102647 |
申请日期 |
1981.01.27 |
申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
MATHUNI,JOSEF,DIPL.-PHYS.DR.;LEE,KARIN |
分类号 |
H01L21/302;G03F7/09;G03F7/40;H01L21/033;H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/30;H05K3/08 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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