发明名称 METHOD FOR MAKING POINT SEMICONDUCTOR GERMANIUM DIODES
摘要
申请公布号 SU555762(A1) 申请公布日期 1982.07.23
申请号 SU19711694764 申请日期 1971.09.07
申请人 SHAPOVALOV V.P.,SU;KONONENKO I.N.,SU;PROKHOROV V.A.,SU;ZAGAJTOV S.M.,SU;RADOMYSLENSKIJ A.A.,SU;KUZOVKIN A.B.,SU;GAVRILENKO I.G.,SU 发明人 SHAPOVALOV V.P.,SU;KONONENKO I.N.,SU;PROKHOROV V.A.,SU;ZAGAJTOV S.M.,SU;RADOMYSLENSKIJ A.A.,SU;KUZOVKIN A.B.,SU;GAVRILENKO I.G.,SU
分类号 H01L21/18;(IPC1-7):H01L21/18 主分类号 H01L21/18
代理机构 代理人
主权项
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