PERFECCIONAMIENTOS INTRODUCIDOS EN UNA DISPOSICION PARA PRO-TEGER UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR CONTRA DANOS POR SOLICI- TACION ELECTRICA DEBIDOS A TRANSITORIOS DE ALTA TENSION

摘要

CIRCUITO PARA PROTEGER UN DISPOSITIVO DE UNION SEMICONDUCTORA CONTRA DAÑOS POR SOLICITACION ORIGINADOS POR TRANSITORIOS DE ALTA TENSION. COMPRENDE UN TRANSISTOR DE PROTECCION CON UN ELECTRODO DE COLECTOR ACOPLADO A UNA POTENCIAL DE ALIMENTACION, UN ELECTRODO DE BASE Y UN ELECTRODO DE EMISION ACOPLADO AL PUNTO A PROTEGER. EXISTEN TAMBIEN MEDIOS PARA APLICAR UNA TENSION DE POLARIZACION DE REFERENCIA AL ELECTRODO DE BASE, DE TAL MODO QUE LA POLARIZACION DEL ELECTRODO DE BASE PUEDE DETERMINARSE INDEPENDIENTEMENTE DE LA POLARIZACION DEL DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.