| 发明名称 |
MOS SUBSTRATE BIAS VOLTAGE GENERTOR CONTROLLED FOR STATIC RANDOM ACCESS MEMORY |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS57109360(A) |
申请公布日期 |
1982.07.07 |
| 申请号 |
JP19810175836 |
申请日期 |
1981.11.04 |
| 申请人 |
FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORP |
发明人 |
YON KEI RII;YOSEFU AARU DOMITOROUITSUCHI |
| 分类号 |
G11C11/417;G05F3/20;G11C5/14;G11C11/407;G11C11/413;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/78;H02M3/07 |
主分类号 |
G11C11/417 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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