PROTECTION D'ENTREE POUR CIRCUIT INTEGRE DE TYPE MOS A BASSE TENSION D'ALIMENTATION ET A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION

摘要

PROTECTION D'ENTREE CONTRE LES SURTENSIONS ACCIDENTELLES POUR DES DISPOSITIFS A CIRCUIT INTEGRE DE TYPE MOS A BASSE TENSION D'ALIMENTATION ET A FORTE DENSITE D'INTEGRATION, COMPRENANT DES IGFET (TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GACHETTE ISOLEE) DONT LES OXYDES DE GACHETTE ONT UNE EPAISSEUR QUI NE DEPASSE PAS 500A. ELLE EST CONSTITUEE ESSENTIELLEMENT PAR UN TRANSISTOR BIPOLAIRE LATERAL T DONT L'EMETTEUR EST RACCORDE A LA MASSE ET LE COLLECTEUR EST RACCORDE A L'ENTREE I ET AUX ELECTRODES G DE GACHETTE DES IGFET M. LA REGION DE BASE EST FORTEMENT DOPEE PAR IMPLANTATION IONIQUE D'IMPURETES DONT LA CONCENTRATION EST SUPERIEURE A CELLE DES AUTRES REGIONS DU CIRCUIT INTEGRE AYANT LA MEME POLARITE. DE CETTE MANIERE, LA TENSION DE CLAQUAGE AU NIVEAU DE LA PROTECTION EST INFERIEURE A LA TENSION DE CLAQUAGE AU NIVEAU DU RESTE DE CIRCUIT: LES OXYDES MINCES DE GACHETTE SONT PROTEGES CONTRE LA RUPTURE SANS EFFETS SECONDAIRES PREJUDICIABLES AU CIRCUIT INTEGRE.