发明名称 Process for the stress-free development of irradiated polymethylmethacrylate layers.
摘要 Verfahren für die spannungsfreie Entwicklung von Lackschichten oder -folien, z.B. PMMA, für die Herstellung von galvanoplastisch erzeugten Präzisionsflachteilen. Bei der Entwicklung mit bekannten Entwicklern treten ab einer PMMA-Schichtdicke von ca. 3 µm Spannungsrisse in der Schicht auf. Nach der Erfindung findet ein Entwickler Anwendung, der aus einem Stoff der Glykoläther-Gruppe, einem Stoff der Primär-Amine, ferner aus Wasser und aus einem Stoff der Azin-Gruppe besteht. Mit derartig zusammengesetzten Entwicklern wurden bei der Herstellung von Matrizen für galvanoplastische Teile in 100 µm dicken PMMA-Schichten Aspektverhältnisse von 30:1 erreicht, ohne daß Dunkelabtrag beobachtet werden konnte und Spannungsrisse auftraten. Die bei der Entwicklung gelösten PMMA-Anteile sowie der Entwickler selbst lassen sich bei der abschließenden Spülung mit Wasser restlos entfernen, so daß keine störenden Schichtreste auf den freientwickelten Flächen verbleiben.
申请公布号 EP0051166(A1) 申请公布日期 1982.05.12
申请号 EP19810108142 申请日期 1981.10.09
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN 发明人 GLASHAUSER, WALTER;GHICA, GRIGORE-VLAD, DIPL.-ING.
分类号 G03F7/039;G03F7/30;G03F7/32;H01L21/027;H03H3/08;(IPC1-7):G03F7/26 主分类号 G03F7/039
代理机构 代理人
主权项
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