发明名称 |
Process for the stress-free development of irradiated polymethylmethacrylate layers. |
摘要 |
Verfahren für die spannungsfreie Entwicklung von Lackschichten oder -folien, z.B. PMMA, für die Herstellung von galvanoplastisch erzeugten Präzisionsflachteilen. Bei der Entwicklung mit bekannten Entwicklern treten ab einer PMMA-Schichtdicke von ca. 3 µm Spannungsrisse in der Schicht auf. Nach der Erfindung findet ein Entwickler Anwendung, der aus einem Stoff der Glykoläther-Gruppe, einem Stoff der Primär-Amine, ferner aus Wasser und aus einem Stoff der Azin-Gruppe besteht. Mit derartig zusammengesetzten Entwicklern wurden bei der Herstellung von Matrizen für galvanoplastische Teile in 100 µm dicken PMMA-Schichten Aspektverhältnisse von 30:1 erreicht, ohne daß Dunkelabtrag beobachtet werden konnte und Spannungsrisse auftraten. Die bei der Entwicklung gelösten PMMA-Anteile sowie der Entwickler selbst lassen sich bei der abschließenden Spülung mit Wasser restlos entfernen, so daß keine störenden Schichtreste auf den freientwickelten Flächen verbleiben.
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申请公布号 |
EP0051166(A1) |
申请公布日期 |
1982.05.12 |
申请号 |
EP19810108142 |
申请日期 |
1981.10.09 |
申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
GLASHAUSER, WALTER;GHICA, GRIGORE-VLAD, DIPL.-ING. |
分类号 |
G03F7/039;G03F7/30;G03F7/32;H01L21/027;H03H3/08;(IPC1-7):G03F7/26 |
主分类号 |
G03F7/039 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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