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<P>L'INVENTION CONCERNE UN RESONATEUR D'ONDES ACOUSTIQUES SUPERFICIELLES.</P><P>UN RESONATEUR D'ONDES ACOUSTIQUES SUPERFICIELLES FORME SUR UN SUBSTRAT PIEZOELECTRIQUE SEMICONDUCTEUR 9 COMPORTE DES GROUPES 10, 11 D'ELEMENTS REFLECTEURS FORMANT DES JONCTIONS DE REDRESSEMENT AVEC LE SUBSTRAT, TANDIS QU'UNE TENSION APPLIQUEE ENTRE LES GROUPES D'ELEMENTS REFLECTEURS ET DES PRISES DE TERRE OHMIQUES 12, 13 REGLE LA CONCENTRATION EN PORTEURS DE CHARGE EN-DESSOUS DE CES GROUPES AFIN DE FAIRE VARIER LA VITESSE ACOUSTIQUE EN-DESSOUS DE CES DERNIERS, ACCORDANT AINSI LE RESONATEUR.</P><P>L'INVENTION EST UTILISEE POUR FOURNIR UNE MEILLEURE GAMME D'ACCORD A UN RESONATEUR D'ONDES ACOUSTIQUES SUPERFICIELLES EN AYANT LA POSSIBILITE DE L'INTEGRER A DES CIRCUITS A SEMI-CONDUCTEURS.</P>
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