| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>DANS LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES A HAUT NIVEAU D'INTEGRATION, L'EROSION D'UNE COUCHE DE MATIERE DE RESERVE 16, 18 AU COURS DE L'ATTAQUE PAR VOIE SECHE D'UNE COUCHE SOUS-JACENTE 14 PEUT LIMITER NOTABLEMENT LA RESOLUTION DES MOTIFS QU'IL EST POSSIBLE DE FORMER. CONFORMEMENT A L'INVENTION, UNE COUCHE PROTECTRICE DE POLYMERE 60, 62 SE FORME ET SE MAINTIENT UNIQUEMENT SUR LA MATIERE DE RESERVE 16, 18 PENDANT L'ATTAQUE DE LA COUCHE SOUS-JACENTE 14. ON OBTIENT AINSI DES SELECTIVITES D'ATTAQUE ELEVEES.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES A TRES HAUT NIVEAU D'INTEGRATION.</P>
|
