发明名称 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DESTINES A PRODUIRE UNE NEUTRALISATION AMELIOREE D'UN FAISCEAU D'IONS POSITIFS |
摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA NEUTRALISATION D'UN FAISCEAU D'IONS POSITIFS.</P><P>UN DISPOSITIF DE NEUTRALISATION D'UN FAISCEAU DE PARTICULES CHARGEES POSITIVEMENT COMPORTE UNE SOURCE 16 D'ELECTRONS PRIMAIRES QUI SONT DIRIGES VERS UNE CIBLE FICTIVE 13 PLACEE A COTE DU FAISCEAU D'IONS 10. LES ELECTRONS SECONDAIRES 14 QUI SONT ALORS EMIS PAR LA CIBLE FICTIVE ONT UNE FAIBLE ENERGIE ET SONT SUSCEPTIBLES D'ETRE PIEGES DANS LE VOLUME DU FAISCEAU D'IONS. CE DERNIER ATTIRE LES ELECTRONS SECONDAIRES DE FAIBLE ENERGIE JUSQU'A CE QUE LE FAISCEAU SOIT EFFECTIVEMENT NEUTRALISE.</P><P>APPLICATION A L'IMPLANTATION IONIQUE DE SEMICONDUCTEURS.</P>
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申请公布号 |
FR2490873(A1) |
申请公布日期 |
1982.03.26 |
申请号 |
FR19810017381 |
申请日期 |
1981.09.15 |
申请人 |
VARIAN ASSOCIATES |
发明人 |
DAVID ARTHUR ROBERTSON |
分类号 |
H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01J37/31;H01L21/26;H05H3/00 |
主分类号 |
H01J37/317 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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