| 摘要 |
<p>DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR. SOBRE UN SUSTRATO (31) DE ALUMINIO O COBRE SE DEPOSITA UNA CAPA AISLANTE PULVERIZADA (32) DE UN MATERIAL CERAMICO. SOBRE ESTA SE FORMA UNA CAPA METALICA PULVERIZADA (33) A BASE DE NIQUEL, ESTAÑO O PLATA. A CONTINUACION SE DISPONE UNA CAPA DE SOLDADURA (34) QUE SIRVE PARA UNIR EL ELEMENTO SEMICONDUCTOR (35) SITUADO EN ULTIMO LUGAR. LOS GROSORES DE LAS CAPAS AISLANTE Y METALICA PULVERIZADAS VARIAN ENTRE 0,05 Y 0,4 MM. COMO ALTERNATIVA PUEDE CONSTRUIRSE EL DISPOSITIVO SIN CAPA AISLANTE.</p> |
