| 主权项 |
一种半导体装置,分别具备有npn电晶体和pnp电晶体,其特征在于;在半导体基板上所设n型外延层中形成有npn电晶体,同时以一种不纯物体度高于上述n型外延层,而却低于上述npn电晶体之基极领城之不纯物体度的n型半导体领域作为上述pnp电晶体之基极领域。图式简单说明:第lA图-第1D图是根据本创作的一个实施例,表示双极IC的制造方法的制造步骤顺序的断面图,第2图是以基极宽度W为参数,表示横形pnp电晶体的操作频率 与集极舌流的关系的图形,第3图表示横形pnp电晶体的直流电流放大率 和集极一射极问的耐电压及基极宽度W的关系的图形,第4图表示纵形pnp电晶体的操作频率 与集极电流 的关系图形,第5A图-第5C图表示过去传统式的双极IC的制造方法的制造步骤顺序的断面图。 |
