发明名称 READ ONLY MEMORY
摘要 <p>Read-only storage chip stores three levels per single-FET cell by providing each cell with an enhancement gate, a depletion gate or no gate connection. Level decoders convert pairs of these three-level signals to triplets of two-level data signals for binary output from the ROS.</p>
申请公布号 JPS5730194(A) 申请公布日期 1982.02.18
申请号 JP19810081213 申请日期 1981.05.29
申请人 IBM 发明人 FUIRITSUPU TANGU UYU
分类号 G11C17/00;G11C11/56;G11C16/04;G11C17/12;G11C17/18 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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