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Es wird eine Anordnung zum Koppeln eines Wellenleiters an eine Photodiode für den Kurzwelligen Infrarotstrahlungs-Bereich angegeben, die auf Silizium integriert in konventioneller IC-Technologie einfach hergestellt werden kann. Dazu besteht der Wellenleiter (2) aus einem planaren Wellenleiter mit einer wellenleitenden Kernschicht (20) aus einem für eine in Silizium ausbreitungsfähige optische Welle (4) durchlässigen Material, die Photodiode (3) ist eine Schottky-Barriere-Diode mit einer an Silizium grenzenden Schottky-Kontaktschicht (30) aus metallisch leitendem Material und der planare Wellenleiter (2) ist durch Leckwellenkopplung an die Schottky-Kontaktschicht (30) gekoppelt. Anwendung bei Lichtwellenleiter-Bauelementen <IMAGE>
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