| 发明名称 |
INTEGRATED SEMICONDUCTOR CIRCUIT WITH P AND N CHANNEL MOS TRANSISTORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0381237(A3) |
申请公布日期 |
1991.03.27 |
| 申请号 |
EP19900102104 |
申请日期 |
1990.02.02 |
| 申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
SAITOH, KOUJI;SAEKI, YUKIHIRO |
| 分类号 |
H01L27/08;H01L27/092;(IPC1-7):H01L27/092;H01L29/784 |
主分类号 |
H01L27/08 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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