发明名称 MEMORY ARRAY HAVING IMPROVED ISOLATION BETWEEN SENSE LINES
摘要 Un reseau de memoire ayant une isolation amelioree entre les lignes communes de lecture de bits (22, 23, 26, 27) utilise des transistors connectes par des diodes (40-43). Les transistors a diodes de connexion (40-43) eliminent sensiblement tout courant passant entre les lignes communes de detection de bits (22, 23, 26, 27) lorsqu'une certaine partie du reseau de circuit d'une colonne n'a pas ete selectionnee. Etant donne que les transistors de blocage (40-43) empechent le courant de passer, cela elimine les bruits d'accouplement sur l'une des lignes de commande (28). Ceci permet d'obtenir un reseau de memoire qui peut fonctionner a des vitesses superieures etant donne que de meilleurs signaux differentiels peuvent etre etablis, lesquels sont detectes par l'amplificateur de detection.
申请公布号 WO8103571(A1) 申请公布日期 1981.12.10
申请号 WO1981US00607 申请日期 1981.05.04
申请人 MOTOROLA INC 发明人 DONOGHUE W
分类号 G11C17/00;G11C7/02;G11C7/18;G11C11/34;G11C17/12;(IPC1-7):11C7/02 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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