发明名称 METHOD OF ELIMINATION OF TEMPERATURE ZERO DRIFT IN SEMICONDUCTOR BRIDGEVODNIKOVOM MOSTE
摘要
申请公布号 PL119107(B2) 申请公布日期 1981.11.30
申请号 PL19790216702 申请日期 1979.06.27
申请人 发明人
分类号 G01R;G01R17/10;(IPC1-7):G01R17/10 主分类号 G01R
代理机构 代理人
主权项
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