发明名称 具有改善散热结构之封装基板及电子装置
摘要 本发明揭示一种具有改善散热结构之封装基板,适用于多重封装模组(multi-package module, MPM)。封装基板包括一基板,其具有一晶片区以及至少一热通道区自晶片区向外延伸至基板之一边缘。至少一晶片,设置于晶片区中。复数凸块,依阵列排置于基板之晶片区及热通道区之外的区域,其中该等凸块之间的间距小于热通道区之宽度。本发明亦揭示一种具有改善散热结构之电子装置。
申请公布号 TWI269414 申请公布日期 2006.12.21
申请号 TW094120410 申请日期 2005.06.20
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 林志雄;张乃舜
分类号 H01L23/28(2006.01);H01L23/34(2006.01) 主分类号 H01L23/28(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路4段279号3楼;颜锦顺 台北市大安区信义路4段279号3楼
主权项 1.一种具有改善散热结构之封装基板,适用于多重 封装模组,包括: 一基板,具有一晶片区以及至少一热通道区自该晶 片区向外延伸至该封装基板之一边缘;以及 复数凸块,依阵列排置于该封装基板之该晶片区及 该热通道区之外的区域,其中该等凸块之间的间距 小于该热通道区之宽度。 2.如申请专利范围第1项所述之具有改善散热结构 之封装基板,更包括至少一第一晶片,设置于该晶 片区中。 3.如申请专利范围第2项所述之具有改善散热结构 之封装基板,更包括至少一第二晶片,设置于背向 该第一晶片之该封装基板上。 4.如申请专利范围第2项所述之具有改善散热结构 之封装基板,其中该第一晶片藉由覆晶法组装至该 封装基板上。 5.如申请专利范围第2项所述之具有改善散热结构 之封装基板,其中该第一晶片藉由打线法组装至该 封装基板上。 6.一种具有改善散热结构之电子装置,包括: 一封装基板,其包括: 一基板,具有一晶片区以及至少一热通道区自该晶 片区向外延伸至该封装基板之一边缘;以及 复数凸块,依阵列排置于该封装基板之该晶片区及 该热通道区之外的区域; 一电路板,具有复数焊垫对应连接至该等凸块;以 及 一散热片,设置于该电路板与该封装基板之间,其 包括: 一第一部,对应于该晶片区;以及 一第二部,相邻于该第一部且沿该热通道区延伸至 该封装基板外侧的该电路板上。 7.如申请专利范围第6项所述之具有改善散热结构 之电子装置,更包括一散热模组,设置于该封装基 板外侧之该第二部上方。 8.如申请专利范围第7项所述之具有改善散热结构 之电子装置,其中该散热模组系由一风扇及一热板 或一热管所构成。 9.如申请专利范围第6项所述之具有改善散热结构 之电子装置,其中该散热片系由金、银或铜金属所 构成。 10.如申请专利范围第6项所述之具有改善散热结构 之电子装置,更包括一第一晶片,设置于该晶片区 中。 11.如申请专利范围第10项所述之具有改善散热结 构之电子装置,其中该散热片之该第一部系与该第 一晶片局部或完全重叠。 12.如申请专利范围第10项所述之具有改善散热结 构之电子装置,更包括至少一第二晶片,设置于背 向该第一晶片之该封装基板上。 13.如申请专利范围第10项所述之具有改善散热结 构之电子装置,其中该散热片藉由一散热膏而与该 第一晶片连接。 14.一种具有改善散热结构之电子装置,包括: 一封装基板,其包括: 一基板,具有一晶片区以及至少一热通道区自该晶 片区向外延伸至该封装基板之一边缘;以及 复数凸块,依阵列排置于该封装基板之该晶片区及 该热通道区之外的区域;以及 一电路板,包括: 复数焊垫,对应连接至该等凸块;以及 一金属层,位于该封装基板下方,其包括: 一第一部,对应于该晶片区; 一第二部,相邻于该第一部且沿该热通道区延伸至 该封装基板外侧的该电路板上;以及 一第三部,相邻于该第二部之末端。 15.如申请专利范围第14项所述之具有改善散热结 构之电子装置,更包括一风扇,设置于该第三部上 方。 16.如申请专利范围第14项所述之具有改善散热结 构之电子装置,其中该金属层包括金、银或铜金属 。 17.如申请专利范围第14项所述之具有改善散热结 构之电子装置,更包括至少一第一晶片,设置于该 晶片区中。 18.如申请专利范围第17项所述之具有改善散热结 构之电子装置,其中该金属层之该第一部系与该第 一晶片局部或完全重叠。 19.如申请专利范围第17项所述之具有改善散热结 构之电子装置,更包括至少一第二晶片,设置于背 向该第一晶片之该封装基板上。 20.如申请专利范围第17项所述之具有改善散热结 构之电子装置,其中该金属层藉由一散热膏而与该 第一晶片连接。 图式简单说明: 第1图系绘示出传统的具有多重封装模组之电子装 置剖面示意图。 第2A图系绘示出根据本发明实施例之具有改善散 热结构之多重封装模组之底视平面示意图。 第2B图系绘示出沿第2A图中2B-2B线之剖面示意图。 第2C图系绘示出根据本发明实施例之具有改善散 热结构之多重封装模组之底视平面示意图。 第3A图系绘示出根据本发明实施例之具有改善散 热结构之电子装置之底视平面示意图。 第3B图系绘示出沿第3A图中3B-3B线之剖面示意图。 第4A图系绘示出根据本发明实施例之具有改善散 热结构之电子装置之底视平面示意图。 第4B图系绘示出沿第4A图中4B-4B线之剖面示意图。
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