| 主权项 |
1.一种具电性连接垫金属保护层之半导体封装基 板结构,系包括: 至少一绝缘层,该绝缘层中形成有复数个导电盲孔 以电性连接至覆盖于该绝缘层下之内层线路; 至少一图案化线路层,系藉由一导电膜以电镀方式 形成于该绝缘层上,且该图案化线路层包含有复数 个电性连接垫,其中至少有一电性连接垫系电性连 接至该导电盲孔;以及 至少一电镀阻障金属层,系完整覆盖住该电性连接 垫上表面。 2.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,复包括一拒焊层,系形 成于该基板表面,俾用以覆盖住该图案化线路层, 且该拒焊层形成有复数个开孔以外露出该电镀阻 障金属层。 3.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该绝缘层系形成 于多层电路基板表面。 4.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该封装基板为覆 晶式封装基板及打线式封装基板之其中一者。 5.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该电性连接垫可 为凸块焊垫。 6.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该电性连接垫可 为焊球垫。 7.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该电性连接垫可 为打线垫。 8.如申请专利范围第1项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构,其中,该电镀阻障金属 层为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛、镍/金 、钯/金及镍/钯/金所构成之群组之其中一者。 9.一种具电性连接垫金属保护层之半导体封装基 板结构制法,系包括: 提供一绝缘层,且该绝缘层中形成有复数个盲孔以 显露覆盖于该绝缘层下之内层线路; 于该绝缘层及盲孔表面形成一导电膜; 于该导电膜上形成第一阻层,并使该第一阻层形成 有多数之开口以外露出部分导电膜; 进行电镀制程以在该第一阻层开口中形成有图案 化线路层及于绝缘层之盲孔形成导电盲孔,该图案 化线路层包含有复数个电性连接垫,且至少有一电 性连接垫系电性连接至该导电盲孔; 形成一第二阻层覆盖电性连接垫以外之图案化线 路层,俾使该电性连接垫外露出该第二阻层; 进行电镀制程以在该电性连接垫上形成阻障金属 层;以及 移除该第二阻层、第一阻层与覆盖于该第一阻层 下之导电膜。 10.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,复包括于该基板表 面形成拒焊层,并使该拒焊层形成有复数个开孔以 外露出该阻障金属层。 11.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该绝缘层系 形成于多层电路层基板之表面。 12.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该封装基板 为覆晶式封装基板及打线式封装基板之其中一者 。 13.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连接 垫可为凸块焊垫。 14.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连接 垫可为焊球垫。 15.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连接 垫可为打线垫。 16.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该电镀阻障 金属层可为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/钛 、镍/金、钯/金及镍/钯/金所构成群组之其中一者 。 17.如申请专利范围第9项之具电性连接垫金属保护 层之半导体封装基板结构制法,其中,该第一及第 二阻层可为一乾膜及液态光阻之其中一者。 18.一种具电性连接垫金属保护层之半导体封装基 板结构制法,系包括: 提供一绝缘层,且该绝缘层中形成有复数个盲孔以 显露覆盖于该绝缘层下之内层线路; 于该绝缘层及盲孔表面形成一导电膜; 于该导电膜上形成一阻层,且该阻层形成有多数之 开口以外露出部分导电膜; 进行电镀制程以在该阻层开口中形成有复数个电 性连接垫及于该绝缘层之盲孔形成导电盲孔,且该 电性连接垫系系电性连接至该导电盲孔; 进行电镀制程以在该电性连接垫上形成阻障金属 层;以及 移除该阻层与覆盖于该阻层下之导电膜。 19.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,复包括于该基板 表面形成拒焊层,并使该拒焊层形成有复数个开孔 以外露出该电镀阻障金属层。 20.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该阻层开 口系对应至该绝缘层盲孔位置。 21.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该绝缘层 系形成于多层电路层基板之表面。 22.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该封装基 板为覆晶式封装基板及打线式封装基板之其中一 者。 23.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连 接垫可为凸块焊垫。 24.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连 接垫可为焊球垫。 25.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该电性连 接垫可为打线垫。 26.如申请专利范围第18项之具电性连接垫金属保 护层之半导体封装基板结构制法,其中,该电镀阻 障金属层可为金、镍、钯、银、锡、镍/钯、铬/ 钛、镍/金、钯/金及镍/钯/金所构成群组之其中一 者。 图式简单说明: 第1A及1B图系习知之湿式蚀刻法的基板制程示意图 ; 第2A至2F图系习知之半加成法的基板制程示意图; 第2G及2H图系习知利用无电镀方式于该基板之电性 连接垫表面形成阻障金属层之制程示意图; 第3A至3I为本发明之具电性连接垫金属保护层之半 导体封装基板结构制法实施例剖面示意图; 第4图为本发明之具电性连接垫金属保护层之半导 体封装基板结构制法第二实施例剖面示意图; 第5图为应用本发明之具电性连接垫金属保护层之 半导体封装基板结构所形成之一底穴置晶型球栅 阵列式(CDBGA)半导体封装件剖面示意图; 第6图为应用本发明之具电性连接垫金属保护层之 半导体封装基板结构所形成之一打线式半导体封 装件剖面示意图;以及 第7图为应用本发明之具电性连接垫金属保护层之 半导体封装基板结构所形成之一覆晶式半导体封 装件剖面示意图。 |
