| 摘要 |
半导体记忆装置包括具有第一主动区与第二主动区的基底。第一主动区包括第一源极与汲极区，第二主动区包括第二源极与汲极区。第一层间介电层配置在基底上方。第一导电结构延伸地穿过第一层间介电层。第一位元线配置于第一层间介电层上。第二层间介电层配置于第一层间介电层上。接触窗延伸地穿过第二与第一层间介电层。半导体记忆装置包括第二导电结构，其配置于接触窗中且延伸地穿过第一与第二层间介电层。第二位元线配置于第二层间介电层上。位于第二层间介电层之底面处的接触窗的宽度小于或实质上等于位于第二层间介电层之顶面处的接触窗的宽度。 |
