DISPLAY DEVICE

摘要

훌륭한 전기적 특성과 높은 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치와 높은 생산성을 갖는 반도체 장치를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 주요점은 게이트 절연막 위에 소스 또는 드레인 전극을 형성한 후, 낮은 저항률의 산화물 반도체층을 소스 또는 드레인 영역으로서 형성하고, 반도체층으로서 산화물 반도체막을 그 위에 형성하는 것이다. 산소 과잉 산화물 반도체층이 반도체층으로 사용되고 산소 결핍 산화물 층이 소스 영역 및 드레인 영역으로서 사용되는 것이 바람직하다.