| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.</P><P>LA FABRICATION D'UN TRANSISTOR MOS COMPORTANT UNE GRILLE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN 13 FAIT INTERVENIR UNE SEQUENCE D'OPERATIONS DANS LESQUELLES ON FORME SIMULTANEMENT DES CONTACTS D'ELECTRODE DE SOURCE, DE DRAIN ET DE GRILLE PAR UN BOMBARDEMENT AVEC UN METAL DE TRANSITION TEL QUE DU PLATINE, FORMANT DES COUCHES DE SILICIURE DE METAL 19, 21, 18 SUR LES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN 10.1, 10.2, AINSI QUE SUR L'ELECTRODE DE GRILLE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DE TRANSISTORS HYPERFREQUENCES.</P>
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