发明名称 LINER FOR PHASE CHANGE MEMORY (PCM) ARRAY AND ASSOCIATED TECHNIQUES AND CONFIGURATIONS
摘要 본 개시의 실시예들은 상변화 메모리(PCM) 어레이를 위한 라이너 및 관련된 기법 및 구성을 설명한다. 일 실시예에서, 기판, 기판 위에 배치된 상변화 메모리(PCM) 소자들의 어레이 - PCM 소자들의 어레이의 개별 PCM 소자들은 칼코게나이드 재료를 포함함 -, 및 개별 PCM 소자들의 측벽 표면들 위에 배치된 라이너를 포함하고, 라이너는 알루미늄(Al), 실리콘(Si) 및 산소(O)를 포함한다. 다른 실시예들이 설명 및/또는 청구될 수 있다.
申请公布号 KR20160074594(A) 申请公布日期 2016.06.28
申请号 KR20167013160 申请日期 2014.12.09
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 ROCKLEIN NOEL;TAO QIAN;SONG ZHE;BHAT VISHWANATH
分类号 H01L45/00;H01L27/24 主分类号 H01L45/00
代理机构 代理人
主权项
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