发明名称 PROCEDE ET DISPOSITIF DE CHAUFFAGE PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS RELATIVISTES D'UN PLASMA DE HAUTE DENSITE
摘要 <P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE ET UN DISPOSITIF DE CHAUFFAGE PAR UN FAISCEAU D'ELECTRONS RELATIVISTES D'UN PLASMA DE HAUTE DENSITE POUR ATTAQUER DES ENVELOPPES RAPIDES.</P><P>UN FAISCEAU ANNULAIRE D'ELECTRONS RELATIVISTES 34 CHAUFFE UN PLASMA ANNULAIRE A DES TEMPERATURES EXPRIMEES EN KILOVOLTS, PAR DES INSTABILITES D'ECOULEMENT DANS LE PLASMA 68. L'ENERGIE DEPOSEE DANS LE PLASMA ANNULAIRE CONVERGE ENSUITE SUR UNE ENVELOPPE RAPIDE POUR LA FAIRE IMPLOSER, PAR ATTAQUE EXPLOSIVE OU ABLATIVE.</P><P>L'INVENTION S'APPLIQUE A LA PRODUCTION DE RAYONNEMENT DE NEUTRONS ETOU DE PARTICULES ALPHA.</P>
申请公布号 FR2481048(A1) 申请公布日期 1981.10.23
申请号 FR19800008814 申请日期 1980.04.18
申请人 US DEPARTMENT OF ENERGY 发明人 LESTER ELSTER THODE
分类号 H05H1/02;H05H1/22;(IPC1-7):H05H1/00 主分类号 H05H1/02
代理机构 代理人
主权项
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