发明名称 |
一种利用电场改善巨磁阻抗传感器磁滞的装置及其改善方法 |
摘要 |
本发明公开了一种利用电场改善巨磁阻抗传感器磁滞的装置,包括:巨磁阻抗敏感材料,其在工作状态下测量外磁场变化下变化的阻抗信号数据;驱动电源,其与巨磁阻抗敏感材料的两端连接,使巨磁阻抗敏感材料交流磁化并工作;金属壳,其包围在巨磁阻抗敏感材料的外围;辅助电源,其与金属壳连接,用于在巨磁阻抗敏感材料与金属壳之间产生电场。本发明在该电场的作用下,传感器的磁滞现象被明显抑制了,提高了传感器的精度。本发明还提出了一种利用电场改善巨磁阻抗传感器磁滞的装置的改善方法。 |
申请公布号 |
CN103675724B |
申请公布日期 |
2016.07.27 |
申请号 |
CN201210352756.3 |
申请日期 |
2012.09.19 |
申请人 |
华东师范大学 |
发明人 |
张清;阮建中;赵振杰;褚君浩;韩洋 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I;G01R1/04(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 |
代理人 |
董红曼 |
主权项 |
一种利用电场改善巨磁阻抗传感器磁滞的装置,其特征在于,包括:巨磁阻抗敏感材料(1),其在工作状态下测量外磁场变化下变化的阻抗信号数据;驱动电源(2),其与所述巨磁阻抗敏感材料(1)的两端连接,使所述巨磁阻抗敏感材料(1)交流磁化并工作;金属壳(3),其包围在所述巨磁阻抗敏感材料(1)的外围;辅助电源(4),其与所述金属壳(3)连接,用于在所述巨磁阻抗敏感材料(1)与所述金属壳(3)之间产生电场。 |
地址 |
200062 上海市普陀区中山北路3663号 |