发明名称 メモリデバイスおよびメモリ動作方法
摘要 メモリデバイスおよびメモリ動作方法が記述される。一例のメモリシステムは、共通導体と、共通導体と結合された複数のメモリセルとを含む。メモリシステムは、それらのメモリセルのうちの互いに異なるメモリセルを、第一の時点と第二の時点との間の複数の異なる時点で、複数の異なるメモリ状態のうちの一つのメモリ状態とするように構成されたアクセス回路を更に含む。アクセス回路は、メモリセルを上記の一つのメモリ状態とするために、第一の時点と第二の時点との間で、上記の一つのメモリ状態に対応する電位で共通導体を保持するようにさらに構成される。【選択図】図1
申请公布号 JP2016525764(A) 申请公布日期 2016.08.25
申请号 JP20160518065 申请日期 2014.06.09
申请人 マイクロン テクノロジー, インク. 发明人 大塚 渉;國廣 恭史;対馬 朋人;北川 真;角野 潤
分类号 G11C13/00 主分类号 G11C13/00
代理机构 代理人
主权项
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