OHMIC CONTACT TO P-TYPE InP OR InGaAsP.

摘要

Dispositif a semi-conducteur comprenant un materiau semi-conducteur InP ou InGaAsP du type P et un contact ohmique a une surface du materiau semi-conducteur et procede de production dudit contact. Le contact ohmique se compose, successivement a partir de ladite surface, d'une couche de berillium et d'or et d'une couche d'or. La surface sur laquelle sont deposees les couches est traitee a la chaleur a une temperature inferieure ou egale a 440 C pendant un temps de residence d'au moins une minute. Au choix, une couche de palladium peut etre positionnee entre la surface et la couche d'or et de beryllium permettant un traitement a la chaleur a des temperatures moins elevees, c'est-a-dire moins que 420 C.