| 主权项 |
1﹒一种半导体装置,其构成包含:一绝缘基质;一层设于该绝缘基质上之半导体材料属于第一导电型之源极和汲极深度延展部份,设于该层半导体材料内,因此各该延展部份至少一部份与该绝缘基质有一共同边界;及属于第一导电型之源极和汲极区域,设于该层半导体材料内,因此该源极和汲极深度延展部份,各面对各别之源极和汲极区域,并与之接触,该源极和汲极区域各有一杂质浓度,大于各别源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,及有一深度,小于该层半导体材料之厚度。2﹒根据上述申请专利范围第1项之半导体装置,另包含:一通道区域,有一界定之通道长度,并设在该源极和汲极区域之间;及该源极和汲极深度延展部份分开之距离大于该通道长度。3﹒根据上述申请专利范围第2项之半导体装置,其中该源极和汲极区域各有一杂质浓度,至少较各别源极和汲极深度延展部份之杂质浓度大三阶次。4﹒于一种互补金氧半导体装置中,该装置包括一绝缘基质;一层设于该绝缘基质上之半导体材料;一P通道金属半导体电晶体,设于该层之第一预定部份;及一N通道金氧半导体电晶体,设于该层之第二预定部份,其创新之处包含:该P通道电晶体之P型源极和汲极深度延展部份系设于该所之第一预定部份,因此各该延展部份至少一部份与该绝缘基质有一共同边界;该N通道电晶体之N型源极和汲极深度延展部份系设于该层之第二预定部份,因此各该延展部份至少一部份与该绝缘基质有一共同边界;P型源极和汲极区域配置于该层之第一预定部份内,因此各P型源极和汲极深度延展部份面对各别之P型源极和汲极区域并与之接触,该P型源极和汲极区域之杂质浓度,大于各别P型源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,并有一深度,小于该层半导体材料之厚度;及N型源极和汲极区域系于该层之第二预定部份内,因此该源极和汲极深度延展部份面区别之N型源极和汲枉区域并与之接触,该N型源极和汲极区域之杂质浓度,大于各别N型源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,并有一深度,小于该层半导体材料之厚度。5﹒根据上述申请专利范围第4项之互补金气半导装置,另包含:通道区域,具有界定之通道长度,设在各该N通道及P通道电晶体之源极和汲极区域之间;及N通道及P通道电晶体之各该源极和汲极深度延展部份系分开一距离,此距离大于各别N通道和P通道电晶体之通道长度。6﹒根据上述申请专利范围第5项之互补金氧半导体装置,其中该P型及N型源极和汲极各有一杂质浓度,较之各别P型及N型源极和汲极深度延展部份之杂质浓度至少大3阶次。7﹒根据上述申请专利范围第4项之互补金氧半导体装置,共中第一和第二预定部份系设于该所半导体材料之共同岛内。8﹒根据上述申请专利范围第4项之互补金氧半导体装置,其中第一和第二预定部份系设于该层半导体材料之分开之鸟内。9﹒一种半导体装置之制造方法,包含步骤为提供一绝缘基质,基质上设有一倍半导体材料:将第一导电型之源极和汲极深度延展部份形成于该层半导体材料内,因此各该延展部份至少一部份与该绝缘基质有一共同边界;及将第一导电型之源极和汲极区域形成于该所半导体材料内,因而各该源极和汲极深度延展部份面对各别之源极和汲极区域并与之接触,该源极和汲极区域各有一杂质浓度,大于各别源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,及有一深度,小于该层半导体材料之厚度。10﹒根据上述申请专利范围第9顶之半导体装置制造方法,其中该源极和汲极深度延展部份之形成系利用选择掺杂该层半导体材料,以使第一导电型之两区域受第二导电型之一区域所分开,第一导电型之该两区域形成该源极和汲极深度延展部份。11﹒根据上述申请专利范围第10项之半导体装置制造方法,另包含:于该源极和汲极深度延展部份形成后,将一闸极氧化层形成于至少一部份之该第二导电型区域上;及将一闸极形成于该闸极氧化层上。12﹒根据上述申请专利范围第11项之半导体装置制造方法,其中该源极和汲极区域之形成,系使其分开一距离,此距离小于该源极和汲极深度延展部份间之距离。13﹒于一种互补金氧半导体装置之制造方法中,该装置包括一绝缘基质;一层设于该绝缘基质上之半导体材料;一P通道金氧半导体电晶体,设于该层之第一预定部份;及一N通道金氧半导体电晶体,设于该层之第二预定部份,此方法之创新包含:将该P通道电晶体之P型源极和汲极深度延展部份形成于该层之第一预定部份,因此至少部份之各该延展部份与该绝缘基质有一共同边界;将该N通道电晶体之N型源极和汲极深度延展部份形成于该所之第二预定部份,因此至少一部份之各该延展部份与该绝缘基质有一共同边界;将P型源极和汲极区域形成于该层之第一预定部份内,因此各P型源极和汲极深度延展部份面对各别之P型源极和汲极区域并与之接触,该P型源极和汲极区域各有一杂质浓度,大于各别P型源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,并有一深度,小于该层半导体材料之厚度;及将N型源极和汲极区域形成于该层之第二预定部份内,以使各N型源极和汲极深度延展部份面对各别之N型源极和汲极区域并与之接触,该N型源极和汲极区域各有一杂质浓度,大于各别的型源极和汲极深度延展部份之杂质浓度,并有一深度,小于该层半导体材料之厚度。14﹒根据上述申请专利范围第13顶之互补金氧半导体装置之制造方法,其中系利用将该所半导体材料之第一预定部份行选择性掺杂,以形成该P型源极和汲极深度延展部份,因此两P型区域被一N型区域分开,该两P型区域形成P型源极和汲极深度延展部份,及利用将该层半导体材料之第二预定部份选择性掺杂,以形成该N型源极和汲极深度延展部份,因此两N型区域被一P型区域分开,该两N型区域形成N型源极和汲极深度延展部份。15﹒根据上述申请专利范围第14项之互补金氧半导体装置之制造方法,另包含之步骤为:于该源极和汲极深度延展部份形成后,将一闸极氧化层,形成于该层半导体材料之第一预定部份内之至少一部份之该N型区域上,及形成于该层半导体材料之第二预定部份内之至少一部份之该P型区域上;及于该第一和第二预定部份上,将闸极形成于闸极氧化物上。16﹒根据上述申请专利范围第15项之互补金氧半导体装置制造方法,其中各该N通道与P通道电晶体之源极和汲极区域之形成,系使之分开一距离,此距离小于各别的型与P型源极和汲极深度延展部份闸之距离。17﹒根据上述申请专利范围第16项之互补金氧半导体装置之制造方法,其中该第一与第二预定部份系设于该所半导体材料之一共同岛内。18﹒根据上述申请专利范围第16项之互补金氧半导体装置之制造方法,其中该第一与第二预定部份系设于该层半导体材料之分开之鸟内。 |
