| 发明名称 |
Non rectifying low resistance contact on a III-V compound-semiconductor and method of manufacturing it. |
| 摘要 |
Kontakt auf III-V-Halbleitermaterials (1) mit einer 4-Schichtfolge aus insbesondere einer Indium-Schicht (2), Zinkschicht (3), einer Chrom-Nickel- oder Palladium oder Platin-Schicht (4) und einer Goldschicht (5). |
| 申请公布号 |
EP0037005(A1) |
申请公布日期 |
1981.10.07 |
| 申请号 |
EP19810101984 |
申请日期 |
1981.03.17 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
LAUTERBACH, CHRISTL GEB. ENGELBRECHT |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L23/482;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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