SILICON ON SAPPHIRE LASER PROCESS.

摘要

Un rayon d'energie de radiation (13) tel qu'un rayon laser est applique sur un ilot de silicium epitaxial sur un dispositif de silicium sur saphir avant la formation de couche de recouvrement d'oxyde et de metal. Le rayon d'energie (13) change la structure des cristaux de l'ilot de silicium epitaxial (2) pour ameliorer la mobilite des porteurs dans l'ilot de silicium (2), ameliorant la vitesse des transistors formee sur l'ilot de silicium (2). Le rayon d'energie (13) provoque egalement le reecoulement du materiau dans le bord de l'ilot de silicium (2), reduisant ainsi la pente de la face de la bordure (3) de l'ilot de silicium, et un adoucissement de la surface de la face, ce qui resulte en un meilleur recouvrement d'aluminium et une elimination de la rainure en forme de V dans la premiere couche isolante (6) au niveau du bord du coin inferieur (8) de l'ilot (2), ameliorant ainsi le rendement du procede.