| 发明名称 |
Method of preparing silicon nitride |
| 摘要 |
A method of producing silicon nitride which comprises heating silica in a gas atmosphere comprising hydrocarbon gas, ammonia gas and hydrogen gas.
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| 申请公布号 |
US4280989(A) |
申请公布日期 |
1981.07.28 |
| 申请号 |
US19800158875 |
申请日期 |
1980.06.12 |
| 申请人 |
TOKYO SHIBAURA DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
SEIMIYA, MOTOO;NISHIDA, KATSUTOSHI |
| 分类号 |
C01B21/068;(IPC1-7):C01B21/06 |
主分类号 |
C01B21/068 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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