Ion implantations method.

摘要

Ionenimplantationsverfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen, bei welchem mehrfach unter ausschließlicher Verwendung einer von unterschiedlich strukturierten Photolackmasken (1,1') zur Begrenzung der Subtratoberfläche Ionen unterschiedlicher Dotierung durch die Öffnungen der Photolackmaske in die Subtratoberfläche implantiert werden, danach jeweils die verwendete Photolackmaske durch einen Plasmaätzprozeß entfernt wird und schließlich sämtliche Dotierungen in das Substrat (2) zur Bildung von Zonen (11, 12) eindiffundiert werden.