| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE. |
| 摘要 |
Un dispositif memoire MNOFFET remanente a ecriture a faible tension de preference du type a canaux (n) possede une premiere region de canaux (p+) relativement hautement dopee (27) et une seconde region (p-) sous-jacente moins dopee (28). Le dispositif est ecrit a l'etat "1" en appliquant une faible tension (+ 12V) a une porte (21) et en appliquant simultanement une tension appropriee a la source (12) et/ou au drainage (13) pour induire la rupture d'avalanche dans le canal. |
| 申请公布号 |
EP0020708(A1) |
申请公布日期 |
1981.01.07 |
| 申请号 |
EP19800900104 |
申请日期 |
1980.06.03 |
| 申请人 |
NCR CORPORATION |
发明人 |
TRUDEL, MURRAY LAWRENCE;LOCKWOOD, GEORGE CORBIN;EVANS, GILBERT, GLENN |
| 分类号 |
H01L29/78;G11C11/34;G11C16/04;H01L21/31;H01L27/10;H01L29/10;H01L29/792;(IPC1-7):01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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