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<P>Ce procédé consiste à former une couche isolante de manière à couvrir une partie d'une surface d'un semi-conducteur d'un premier type de conductibilité, pour masquer la partie sous-jacente de ce semi-conducteur et exposer des parties du semi-conducteur voisines de la couche isolante, à implanter des ions susceptibles de former un type opposé de conductibilité dans le semi-conducteur, dans les parties exposées de ce semi-conducteur, de manière à former des régions de source et de drain du composant, à amener un produit d'attaque chimique en contact avec la couche isolante, en réduisant la surface de la couche isolante couvrant le semi-conducteur et en augmentant la séparation entre la région de source et une région de dérivation disposée au-dessous de la couche isolante attaquée chimiquement, exposant une région de grille contiguë de la région de source et de la région de dérivation, et à implanter des ions suceptibles d'établir une région du premier type de conductibilité dans le semi-conducteur, dans la région de grille exposée par la couche isolante attaquée chimiquement.</P>
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