| 摘要 |
CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEURS COMPRENANT DES CONDENSATEURS DE MEMOIRE CHARGES OU DECHARGES PAR L'INTERMEDIAIRE DE COMMUTATEURS ELECTRONIQUES.L'INVENTION PERMET DE MINIMISER LA SENSIBILITE DE CE TYPE DE CIRCUIT AUX PARTICULES A EN REALISANT LES CONDENSATEURS C1, 2 DE FACON A EVITER LA FORMATION D'UNE COUCHE D'APPAUVRISSEMENT DANS LE SUBSTRAT 4. DE TELS CONDENSATEURS SONT CONSTITUES PAR UNE PREMIERE COUCHE D'ELECTRODE 3 DEPOSEE SUR UNE COUCHE ISOLANTE 13 ET CONNECTEE AU POTENTIEL DU SUBSTRAT, UNE COUCHE DE DIELECTRIQUE 1 ET UNE SECONDE COUCHE D'ELECTRODE 2, 2.APPLICATION AUX MEMOIRES DYNAMIQUES A ACCES SELECTIF, A CAPACITES COMMUTEES PAR DES TRANSISTORS MOS. |
