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<P>MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT DES CELLULES A UN TRANSISTOR REALISEES SUIVANT LA TECHNOLOGIE V-MOS.</P><P>DANS CETTE MEMOIRE COMPORTANT DES ZONES ENSEVELIES PREVUES SELON UNE SUCCESSION DE COUCHES CONSTITUEES PAR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1, UNE COUCHE EPITAXIALE 3 ET UNE ZONE ENSEVELIE 2 ET DES SILLONS 5 EN FORME DE V, LES ZONES ENSEVELIES 2 FORMANT DES CONDUCTEURS DE BITS ET DES ZONES D'UN TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSE DANS LA COUCHE 3, ENGLOBENT POUR CHAQUE CELLULE DE MEMOIRE, DES ZONES PARTIELLES 34-1, 34-2 SEPAREES PAR LE SILLON 5 FORMANT DES CAPACITES PARTIELLES BRANCHEES EN PARALLELE DES CELLULES DE MEMOIRE.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX MEMOIRES A DES CELLULES A UN TRANSISTOR.</P>
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