| 发明名称 |
Erasably programmable semiconductor memories of the floating-gate type. |
| 摘要 |
Halbleiter-Festwertspeicher mit Speicherzellen mit zusätzlichem Potentialträger, durch den ein weiteres Potential kapazitiv an das Floating Gate (12) ankoppelbar ist.
|
| 申请公布号 |
EP0016386(A1) |
申请公布日期 |
1980.10.01 |
| 申请号 |
EP19800101184 |
申请日期 |
1980.03.07 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT BERLIN UND MUNCHEN |
发明人 |
GIEBEL, BURKHARD, DIPL.-ING.;SCHEIBE, ADOLF, DR. ING. DIPL.-PHYS. |
| 分类号 |
H01L27/112;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/60;G11C11/34 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
