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<P>L'INVENTION CONCERNE LES DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS COMPORTANT UN ANNEAU DE GARDE.</P><P>LES PROCEDES DE REALISATION CLASSIQUES DES ANNEAUX DE GARDE, PAR DIFFUSION LOCALISEE A TRAVERS DES FENETRES DANS UN MASQUE EPAIS, ENTRAINENT UNE POLLUTION SUPERFICIELLE DU CRISTAL ET DES PERTURBATIONS CRISTALLINES. LE PROCEDE SELON L'INVENTION CONSISTE A DEPOSER D'ABORD SUR LE CRISTAL UNE SOURCE DE DIFFUSION, LIMITEE A L'EMPLACEMENT DU FUTUR ANNEAU DE GARDE, PUIS A EFFECTUER LA DIFFUSION. LES JONCTIONS AINSI REALISEES SONT FIABLES ET EXEMPTES DE BRUIT.</P><P>APPLICATION AUX DIODES ET TRANSISTORS.</P>
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