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<P>TRANSISTOR DE PUISSANCE MESFET A L'ARSENIURE DE GALLIUM A DISSIPATION DE CHALEUR AMELIOREE ET PROCEDE POUR FABRIQUER UN TEL TRANSISTOR.</P><P>DANS CE TRANSISTOR MESFET COMPORTANT DES ELECTRODES DE SOURCE, DE DRAIN ET DE GRILLE 41 A 43, CES DERNIERES SONT SITUEES SUR UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE 4 DE MOINS DE 20M, DONT LA FACE, SITUEE A L'OPPOSE DESDITES ELECTRODES, EST RECOUVERTE PAR UN REVETEMENT METALLIQUE 51 SERVANT A DISSIPER LA CHALEUR.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT AUX TRANSISTORS MESFET DONT LE SEMI-CONDUCTEUR EST UN COMPOSE D'ELEMENTS DES GROUPESIII ET V DE LA CLASSIFICATION DES ELEMENTS.</P>
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