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<P>DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE SEMI-CONDUCTEUR QUI COMPREND DANS UNE REGION SUPERFICIELLE PRINCIPALE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR MONOLITHIQUE: DES PHOTODIODES REPARTIES EN UN ENSEMBLE BIDIMENSIONNEL, DES TRANSISTORS MOS DE COMMUTATION VERTICALE ET DES TRANSISTORS MOS DE COMMUTATION HORIZONTALE D'ADRESSAGE DES PHOTODIODES, DES TRANSISTORS MOS QUI CONSTITUENT DES CIRCUITS D'ANALYSE VERTICALE ET HORIZONTALE DE FERMETURE ET D'OUVERTURE DES TRANSISTORS MOS DE COMMUTATION, ET DES TRANSISTORS MOS QUI CONSTITUENT L'AUTRE ENSEMBLE DES CIRCUITS PERIPHERIQUES, CES PHOTODIODES ETANT FAITES DE REGIONS DE SOURCE DES TRANSISTORS MOS DE COMMUTATION VERTICALE ET DU SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR.</P><P>CE DISPOSITIF DE FORMATION D'IMAGE SEMI-CONDUCTEUR EST CARACTERISE EN CE QUE PARMI LES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN DES DIFFERENTS TRANSISTORS MOS, LES REGIONS DE SOURCE DES TRANSISTORS MOS DE COMMUTATION VERTICALE ONT UNE CONCENTRATION D'IMPURETES EN SURFACE ET UNE PROFONDEUR DE JONCTION, RESPECTIVEMENT PLUS FAIBLE ET PLUS IMPORTANTE QUE LES AUTRES REGIONS DE SOURCE ET DE DRAIN.</P>
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