| 发明名称 |
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON INTEGRIERTEN MOS-SCHALTUNGEN IN SILIZIUM-GATE- TECHNOLOGIE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE2902665(A1) |
申请公布日期 |
1980.08.07 |
| 申请号 |
DE19792902665 |
申请日期 |
1979.01.24 |
| 申请人 |
SIEMENS AG |
发明人 |
WIDMANN,DIETRICH,DR.-ING. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/768;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/94;H01L27/08 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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