Semiconductor power element.

摘要

An den beiden Hauptflächen einer Halbleiterscheibe (1) mit großem Durchmesser wird je ein Bündel (2') von Metalldrähten (2) angelötet. Die anderen Enden der Metalldrähte (2) sind mit Wärmeableitscheiben (3, 4) verlötet. Die Metalldrähte (2) besitzen mit zunehmendem Abstand vom Zentrum (6) eine zunehmende Länge, um unterschiedliche Wärmeausdehnungen von Halbleiterscheibe (1) und Wärmeableitscheiben (3, 4) auffangen zu können. Durch Metallringteile (8, 9) und ein Keramikgehäuse (7) wird das Halbleiterbauelement vervollständigt.